Институт
прикладной
физики
РАН
ННГУ
им. Н.И.Лобачевского
НГТУ
им. Р.Е. Алексеева
Фонд поддержки научных, образовательных и культурных инициатив
Рассматриваются принципы функционирования и методы
создания лазеров на основе электронных систем с токовой накачкой в периодических полупроводниковых гетероструктурах – сверхрешетках, предложенных более 40 лет назад в США и в СССР.
Приводятся результаты по созданию и применениям одного из вариантов таких устройств – каскадных лазеров со сложным периодом сверхрешеток – полученные за последние 20 лет на Западе. Анализируются особенности и перспективы использования таких лазеров в военных и гражданских системах связи, экологического, медицинского и промышленного мониторинга.
Представлены отдельные результаты по созданию таких лазеров в России.
Обсуждаются работы ИФМ РАН по созданию подобных лазеров на сверхрешетках с простым периодом.